财讯：第三代半导体材料领域热度不减快充爆发 科创板这家公司正布局

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今天上午，奥海科技在互动平台上宣布，企业自主开发了快速充氮化镓产品。 上周五，据聚灿光电公告称，计划投资约35亿元的建设扩建项目，主要产品为mini/microled氮化镓、砷化镓芯片。

《科学创板日报》记者介绍，第三代半导体材料以氮化镓( gan )、碳化硅( sic )、氧化锌( zno )、金刚石为4个代表，是5g时代的主要材料。 第三代半导体尚处于快速发展初期，但市场前景广阔。 根据omdia发布的《年sic和gan功率半导体报告书》，预计到年底，全球sic和gan功率半导体的销售额将达到8.54亿美元。 今后10年的年均两位数增长率到2029年将超过50亿美元。

中芯国际创始人张汝京此前表示，第三代半导体idm模式是主流。 《科创板日报》记者观察到，在第三代半导体相关企业中，科创板上市企业华润微采用了idm模式。

据华润微披露的半年报报道，企业目前正在进行研究项目硅基氮化镓功率器件的设计和技术研发，预计该项目总投资2.44亿元，已投入1082.84万元。 本研究项目实现的目标是完成650v硅基氮化镓器件的开发，建立相应的材料生产、产品设计、晶片制造和封装测试能力。 据悉，产品应用于高端智能手机充电器、电动汽车充电器、计算机适配器等行业。

此外，gan充电器具有功率大、体积小、效率高的优点，是超快速充电技术取得突破的关键。 预计该机构将从下半年开始标配旗舰手机，迎来爆炸性的增长。

在今年2月发布的招商函中，对比了前瞻性技术和产品升级研发项目，华润微表示，企业计划在快充电源控制芯片、智能音频功率放大器等壁垒高、未来增长快的细分行业展开进一步研究，具体为2w -。

《科创板日报》记者在今年上半年的报纸上观察到，华润微已经开发了基于gan的快充方案和芯片研发项目，该项目拟投入资金3948万元，半年报累计投入74.51万元。 该项目的目标是使用新的gan器件控制和驱动技术，开发基于gan器件驱动芯片和gan器件的快速充电电源系统方案。

除了gan之外，华润微拥有的国内第一条6英寸商用sic晶圆生产线正式量产于第三代半导体材料碳化硅。 今年7月4日，上海慕尼黑电子展期间，华润微电子功率器件事业群正式向市场投放1200v和650v工业级sic肖特基二极管系列产品，产品可广泛应用于太阳能、ups、充电桩、储能和车载电源等行业。

碳化硅器件的价值链可分为衬底外延晶片器件，其中衬底所占价格最高为50%，主要原因是单晶生长缓慢、质量不稳定，碳化硅的价格也很高，没有得到广泛宣传。

华润微则在报告期内通过华润微电子控股有限公司和国内领先的碳化硅外延晶片公司——汉天成电子科技(厦门)有限企业(以下简称汉天成)达成“增资扩股协议”，增资后企业持有汉天成3.2418%的股权

围绕第三代半导体材料业务布局的相关情况，《科创板日报》记者今天多次联系采访华润微，但没有人接电话。

除了华润微之外，杨杰科技同样也是采用的idm经营模式，据今年上半年的报纸报道，杨杰科技的产品包括碳化硅sbd、碳化硅jbs等。 吴凡